O carboneto de silício tem excelentes vantagens de desempenho e a escala do mercado está crescendo rapidamente
O desempenho limite de serviço do substrato de carboneto de silício é melhor do que o do substrato de silício, que pode atender aos requisitos de aplicação sob as condições de alta temperatura, alta tensão, alta frequência e alta potência. Atualmente, o substrato de carboneto de silício foi aplicado a dispositivos de RF e dispositivos de energia. Com a explosão da demanda downstream, a escala de mercado de dispositivos SiC aumentará de US $ 4,3 bilhões para US $ 8,9 bilhões de 2022 a 2026, com uma taxa de crescimento composto de 20%, A escala de mercado de substratos de SiC correspondente aumentou de US $ 700 milhões para US $ 1,7 bilhão, com uma taxa de crescimento composto de 25%.
Demanda: a aplicação da cadeia industrial downstream estourou e o dividendo da demanda do mercado de SiC foi liberado
Dividimos o desenvolvimento de dispositivos SiC em três estágios: o estágio inicial é 20192021, o ponto de inflexão é 20222023 e o surto é 20242026. Com a expansão do SiC nos campos de aplicação de novos veículos de energia, infraestrutura de carregamento, estações base de 5g, indústria e energia, a demanda por SiC inaugura um crescimento explosivo. Entre eles, os veículos de energia são o mercado de mais rápido crescimento para aplicação de dispositivos SiC. Estima-se que a escala de mercado de 2022 a 2026 vai variar de US $ 1,6 bilhão a US $ 4,6 bilhões, com uma taxa de crescimento composto de 30%.
Fornecimento: a cadeia industrial de curto prazo restringe a capacidade do substrato, e a expansão da capacidade de longo prazo leva a um declínio no preço. A cadeia industrial do mercado do carboneto de silício é dividida principalmente em quatro partes: fabricação do substrato da bolacha, produção epitaxial da bolacha, P & D do dispositivo do carboneto de silício e empacotamento e teste do equipamento, respondendo por 50%, 25%, 20% e 5% do custo total do mercado respectivamente. O custo de fabricação do substrato do carboneto de silício tem sido alto. Atualmente, a aplicação de substratos de alta qualidade está concentrada principalmente em wolfspeed, II-VI e Rohm, com quota de mercado CR3 de mais de 80%. Ainda há uma certa lacuna no rendimento do produto, qualidade e eficiência de produção dos fabricantes de substratos representados pelos fabricantes chineses. No curto prazo, a montante da cadeia industrial de dispositivos de média e alta potência é controlada principalmente pelo substrato CR3, Além disso, com o aumento gradual de Cr3, a proporção de materiais de uso próprio aumenta e o aumento da capacidade de produção, a oferta do mercado é limitada e a oferta geral é apertada. De acordo com dados de wolfspeed, estima-se que a capacidade de produção em 2022 e 2024 atingirá 167k pés quadrados para 242 pés quadrados respectivamente, convertendo 850000 peças e 1,23 milhão peças correspondentes a 6 polegadas. Através do cálculo, estima-se que as vendas do mercado global de 6 polegadas em 2022 e 2024 serão de cerca de 1,7 milhão peças a 2,5 milhões de peças respectivamente. O avanço do carboneto de silício doméstico está acelerando e inaugurando oportunidades de investimento de médio e longo prazo
IDM é o principal modo de operação no mercado de carboneto de silício no exterior, e os fabricantes chineses de substrato são Tianyue avançados (principalmente substratos isolantes), Tianke Heda (principalmente substratos condutores), China Electronics Technology (ShuoKe), Roshow Technoiogy Co.Ltd(002617) , Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical Co.Ltd(300316) ; Wafer epitaxial: hantiancheng, Dongguan Tianyu, CETC, etc. completaram o R & D e a produção de 3-6 polegadas de carboneto de silício epitaxial; Em termos de dispositivos: Starpower Semiconductor Ltd(603290) corpo, Hangzhou Silan Microelectronics Co.Ltd(600460) lançou dispositivos e módulos de alimentação SiC MOSFET; Em termos de fundição de wafer, x-fab é a maior fundição e fornece serviços a 80-90% dos fabricantes de carboneto de silício sem fábrica de wafer; Hanlei e Jita aumentaram significativamente as despesas de capital para expandir a capacidade de SiC; IDM: Sanan Optoelectronics Co.Ltd(600703) tem a capacidade de produção integrada de toda a indústria (substrato / epitaxia / dispositivo / teste de vedação).
Dica de risco: o rendimento de carboneto de silício e dispositivos é menor do que o esperado; A procura a jusante é inferior ao esperado;
