Relatório de rastreamento da indústria de semicondutores de energia 4: o aumento de preços de gigantes no exterior indica alta prosperidade e agarra ativamente a oportunidade de substituição doméstica

Gigantes ultramarinos aumentaram os preços um após o outro, indicando um alto boom sustentado na indústria de semicondutores de potência. O padrão global do mercado de semicondutores de potência é relativamente concentrado, e gigantes ultramarinos como Infineon, Itália França semicondutor, NXP e Renesas ocupam a participação principal, especialmente em campos emergentes, como novos veículos de energia e geração de energia fotovoltaica. Portanto, a tendência de gigantes ultramarinos tem importante significado orientador para a perspectiva da indústria global de semicondutores de potência. No início de 2022, Infineon, Itália França semicondutor, NXP e outros grandes fabricantes de semicondutores de potência no exterior expressaram suas expectativas para a alta prosperidade do semicondutor de potência este ano. O tempo médio de entrega dos principais dispositivos excedeu um ano, e a capacidade de produção anual em 2022 tinha sido totalmente preenchida. No caso de forte demanda e capacidade de produção apertada, gigantes do exterior realizaram uma nova rodada de aumentos de preços. Em 14 de fevereiro de 2022, a Infineon assumiu a liderança na notificação aos clientes downstream do aumento de preços; Em 24 de março de 2022, o semicondutor Itália França anunciou um aumento total do preço da linha no segundo trimestre, incluindo transporte em trânsito e produtos sobrecarregados. Espera-se que outros fabricantes em todo o mundo em breve acompanhem esta rodada de aumento de preços, e a perspectiva de alto perfil do semicondutor de potência será determinada ao longo do ano.

IGBT: no período de rápido desenvolvimento de novos veículos energéticos e fotovoltaicos, alternativas domésticas acolhem uma boa oportunidade. IGBT é usado principalmente em campos de média e alta tensão de 600V e acima, e tem vantagens naturais em veículos de energia nova, geração de energia fotovoltaica e outros campos. Os dados da Evtank mostram que, em 2021, o volume global de vendas de novos veículos energéticos foi de 6,7 milhões, com um aumento homólogo de 102,4%; China Shanxi Guoxin Energy Corporation Limited(600617) vendeu 3,548 milhões de veículos, um aumento anual de 160,1%. Olhando para 2030, a evtank prevê que as vendas globais de novos veículos de energia atingirão 47,8 milhões, representando quase 50% das vendas de novos veículos naquele ano. Desde a segunda metade de 2020, as empresas automotivas chinesas foram atormentadas pela escassez de núcleo. Associações chinesas relevantes, empresas automotivas, empresas de semicondutores e outras partes estão discutindo o mecanismo de fornecimento de semicondutores automotivos, e continuará a fortalecer a substituição doméstica no futuro. Um número de empresas IGBT na China realizou a expedição em lote, e intensificou o desenvolvimento de novos produtos, construção de nova capacidade, verificação de novo modelo e outros trabalhos, que continuarão a estar em um estado de alto crescimento nos próximos anos.

A geração de energia fotovoltaica está em fase de rápido desenvolvimento. Os dados da Bnef mostram que a capacidade instalada fotovoltaica global em 2021 é de 183gw; De acordo com a previsão da agência, a capacidade instalada fotovoltaica global atingirá 228gw em 2022, com um aumento homólogo de 24,6%. De acordo com os dados da administração nacional de energia, a capacidade instalada fotovoltaica da China em 2021 foi de 54,88gw; De acordo com a previsão do CPIA, a capacidade instalada fotovoltaica da China deve exceder 75gw em 2022, com um aumento anual de mais de 36,7%. O inversor fotovoltaico precisa usar IGBT para conversão DC-AC e controle de aumento e queda de tensão. De acordo com dados da madeira Mackenzie, em 2020, o carregamento total GW das 6 principais empresas de inversores da China representou 60% da participação global. No caso de fornecimento insuficiente de IGBT, o progresso da substituição doméstica é relativamente suave. Atualmente, muitas empresas chinesas IGBT entraram na cadeia de suprimentos dos principais fabricantes de inversores na China. com a liberação da capacidade de produção da fundição da bolacha, o desempenho crescerá rapidamente.

MOSFET: a demanda downstream de MOSFET de alta tensão é forte, e há um grande espaço para substituição doméstica. MOSFETs incluem principalmente o tipo de trincheira, tipo de porta blindada, superjunção e outros tipos. Produtos de alta tensão representados por MOSFETs de superjunção e alguns MOSFETs de porta blindada são usados principalmente em pilhas de carregamento de veículos de energia nova, controle industrial high-end, OBC automotivo e outros campos. Eles têm alto crescimento. Atualmente, a taxa de penetração doméstica é relativamente baixa e há um grande espaço de crescimento. Produtos de média e baixa tensão representados por MOSFETs ranhurados e alguns MOSFETs de porta blindada de baixa tensão são usados principalmente em campos de consumo, como eletrodomésticos, pequenos eletrodomésticos e ferramentas elétricas, e seu crescimento é relativamente fraco. Atualmente, as empresas chinesas MOSFET aproveitam ativamente a oportunidade de escassez e continuam a se concentrar em produtos high-end com crescimento mais rápido, barreiras mais altas e melhor rentabilidade.

A tendência do semicondutor de terceira geração é clara, e os principais fabricantes competem pelo layout. Os dispositivos SiC têm as características de alta temperatura e resistência de alta pressão, alta densidade de energia e alta eficiência de conversão, e têm vantagens significativas no campo de veículos de energia novos. Tesla, Byd Company Limited(002594) , Weilai, ideal e outras empresas de automóveis aplicaram sicmosfet em modelos high-end, que tem vantagens óbvias na velocidade de carregamento, quilometragem, aceleração inicial, volume do dispositivo e assim por diante. Comparado com o silício, GaN tem as vantagens de resistência a altas temperaturas, alta frequência e baixa perda.É amplamente utilizado nos campos de carregamento rápido e estações base de comunicação 5g.

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Aviso de risco: o progresso da localização é menor do que o esperado; O progresso da expansão da fábrica da bolacha é menos do que o esperado; A investigação e o desenvolvimento tecnológico são menos do que o esperado

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