Microsemicondutor oriental (688261)
Principais pontos de investimento
Os semicondutores de potência são os componentes centrais da eletrônica de potência.Novas energias, conservação de energia e redução de consumo e modernização industrial promovem um espaço de mercado mais amplo
De acordo com a previsão da omida, o mercado global de semicondutores de potência será de cerca de US $ 46,4 bilhões em 2019, e espera-se que o mercado cresça para US $ 52,2 bilhões até 2024. No contexto da neutralidade de carbono, os mercados de novos veículos de energia, fotovoltaica, energia eólica, armazenamento de energia e outros campos estão se desenvolvendo rapidamente, e o mercado correspondente de semicondutores de energia está crescendo rapidamente. Do ponto de vista do padrão de concorrência, os principais mercados de chips e módulos de semicondutores de potência são ocupados por fabricantes europeus e americanos como Infineon, ansenmey e semicondutores franceses italianos. Em 2020, a quota de mercado da líder mundial Infineon em MOSFET e IGBT foi de 24,4% e 29,3%, respectivamente, e a proporção de fabricantes locais individuais foi inferior a 5%. Fabricantes chineses, especialmente empresas locais de dispositivos de alto desempenho, crescerão totalmente no enorme mercado do oceano azul.
Concentre-se em dispositivos de potência de alto desempenho e seja líder em inovação de estrutura de dispositivos
Com base em anos de acumulação de vantagens tecnológicas, capacidade de integração profunda da cadeia industrial e excelente capacidade de serviço de inovação ao cliente, a empresa tornou-se um dos principais fabricantes de dispositivos de energia de alto desempenho na China. é uma das poucas empresas locais que podem romper o monopólio tecnológico no exterior no campo da super junção MOSFET, ou uma das poucas empresas na China com a capacidade de estrutura de inovação de dispositivos, Os produtos de super junção da série greenmos MOSFET lançados pela empresa quebraram o monopólio de fabricantes estrangeiros no campo de dispositivos de energia de pilha de carregamento.Os inovadores produtos IGBT (tgbt) com estrutura de dispositivo tri gate de propriedade intelectual independente foram produzidos e enviados em massa, e crescerão significativamente no mercado de alta tensão no futuro. A receita de alta tensão da Super Seção MOSFET representa mais de 80%. De acordo com dados da omdia, entre os fabricantes locais chineses, a receita de vendas MOSFET da empresa ficou em sétimo lugar em 2019. Em termos de aplicações downstream, a empresa concentra-se em aplicações industriais, incluindo pilha de carregamento DC de novos veículos de energia, fonte de alimentação da estação base de 5g e fonte de alimentação de comunicação, fonte de alimentação do servidor do data center e fonte de alimentação de iluminação industrial. Em 2022, a empresa alcançou uma receita de 782 milhões de yuans, um aumento anual de 153,28%, e um lucro líquido atribuível à empresa-mãe de 146 milhões de yuans, um aumento anual de 429,12%. No futuro, a empresa continuará a se beneficiar do rápido desenvolvimento do mercado de dispositivos de potência de alto desempenho trazido pela rápida expansão de campos de aplicação industrial e de especificação de veículos, como comunicação 5g e eletrificação de automóveis.
O layout de alta velocidade IGBT, SiC e outros produtos high-end trará crescimento a longo prazo
Os fundos de IPO da empresa serão usados para continuar a fortalecer o negócio existente de dispositivos de semicondutores de potência e desenvolver novos tipos de produtos de semicondutores de potência. A empresa investirá 204 / 108 / 170 / 457 milhões de yuans respectivamente em quatro aspectos: atualização de produtos de super junção e dispositivos de alimentação blindados de porta, P & D e industrialização de novos dispositivos de energia de estrutura, R & D Centro de Engenharia, ciência e tecnologia e fundos de reserva de desenvolvimento.O ciclo de construção dos três primeiros projetos é de três anos. A empresa continua a aumentar o investimento e a melhoria em dispositivos de super junção e porta blindada. Pode-se ver que o desempenho e as categorias de super junção e MOS blindados serão melhorados no futuro com base nos produtos atuais. A demanda por dispositivos de energia de alto desempenho em estações base de 5g, pilhas de carregamento DC de novos veículos de energia, inversores fotovoltaicos e outros campos sempre foi forte, e a busca da indústria de dispositivos de maior eficiência e maior confiabilidade nunca parou, o que também está em linha com a estratégia de desenvolvimento a longo prazo da empresa.A empresa tem tecnologia madura e alcançou produção em massa em termos de IGBT de alta velocidade e super silício MOSFET com estrutura inovadora, Nos próximos três anos, aumentará rapidamente nos mercados relevantes e fará grandes progressos. Com o aumento gradual da demanda por semicondutores de terceira geração nas áreas de pilhas de carregamento e veículos de energia novos, a empresa também fará reservas técnicas na direção de SiC e novos dispositivos de energia de alta tensão à base de silício. Com a sólida capacidade de P & D da empresa em dispositivos de alta potência, a empresa alcançará avanços rápidos e produção em massa de mais linhas de produtos nos próximos três anos, criando a segunda curva de crescimento da empresa.
Previsão de lucros
Estima-se que a receita da empresa de 2021 a 2023 será de RMB 782 milhões, RMB 1177 milhões e RMB 1633 milhões, respectivamente, e o EPS será de RMB 290 milhões, RMB 379 milhões e RMB 509 milhões, respectivamente. O PE correspondente do preço atual das ações será 66, 50 e 37 vezes, respectivamente, dando a classificação de investimento "recomendado".
Dicas de risco
Risco de alta concentração de fornecedores; A procura a jusante é inferior ao esperado; O risco de aumento substancial dos preços a montante; Riscos de que o progresso do projeto de investimento levantado não atenda às expectativas, etc
