Semicondutores Dongwei (688261)
O principal fabricante de design de semicondutores de potência da China deu uma classificação de “comprar” pela primeira vez
A empresa está profundamente envolvida em P & D e design de semicondutores de potência, e seus produtos cobrem MOSFET de superjunção de alta tensão, MOSFET de porta blindada de média e baixa tensão, IGBT com direitos de propriedade intelectual independentes e estrutura de porta tri, etc. A empresa tem vantagens técnicas e profunda acumulação de primeiro movimento no campo da superjunção de alta tensão MOSFET, e é uma empresa líder na China neste campo. Prevemos que a empresa realizará um lucro líquido atribuível à empresa-mãe de RMB 263/3,56/507 milhões e EPS de RMB 3,90/5,29/7,52 de 2022 a 2024. O preço atual da ação corresponde a 61,8/45,6/32,1 vezes de PE. Classificação “Comprar” para a primeira cobertura.
Os produtos MOSFET de superjunção de alta tensão são avançados em tecnologia e escala, e os produtos de média e baixa tensão têm números de itens ricos
O MOSFET de alta tensão é aplicado à pilha de carregamento de veículos de energia nova, carregador de veículos, fonte de alimentação da estação base e outros mercados, com amplo espaço de mercado e alta taxa de crescimento da indústria. A superjunção de alta tensão da empresa MOSFET adota a tecnologia profunda do sulco, com excelentes indicadores de desempenho do produto, que se espera liderar a substituição doméstica do MOSFET de alta tensão da China. O super silício MOSFET da empresa é uma importante série de produtos de super junção MOSFET, com foco no desempenho de alta frequência. Compete com produtos de nitreto de gálio com design à base de silício, e espera-se ganhar maior participação de mercado com seu excelente desempenho e vantagens de desempenho de custo. Além disso, a empresa possui ricos números de itens MOSFET de média e baixa tensão, e seus indicadores técnicos podem ser comparados com fabricantes de primeira linha no exterior, que também devem fazer grandes progressos.
Tgbt da empresa adota estrutura inovadora independente do dispositivo para criar vantagem competitiva diferenciada
Os produtos tgbt da empresa são produtos IGBT com estrutura tri gate de inovação independente. Através de tecnologia patenteada, a resistência on e velocidade de comutação são otimizadas ao mesmo tempo. Em 2021, os produtos tgbt da empresa foram aplicados em lotes por clientes nas áreas de inversor fotovoltaico, armazenamento de energia, pilha de carregamento, acionamento do motor, etc., e muitos clientes líderes nos campos acima, tais como Byd Company Limited(002594) Shinry Technologies Co.Ltd(300745) Shinry Technologies Co.Ltd(300745) . Tgbt alcança excelente desempenho através da estrutura inovadora do dispositivo, que se espera formar uma competição diferenciada com dispositivos do semicondutor do poder no mercado. Atualmente, os produtos tgbt da empresa foram industrializados, o que proporcionará um novo impulso para o crescimento da empresa.
Projetos investidos com fundos levantados consolidaram sua força abrangente de produtos, e seu desenvolvimento a longo prazo pode ser esperado
Aproveitando a oportunidade de listagem, a empresa planeja investir 939 milhões de yuans para promover ativamente os projetos de P & D e industrialização de dispositivos de energia. Por um lado, consolidará sua vanguarda na tecnologia e escala de super junção MOSFET, por outro lado, fortalecerá a construção de porta blindada de média e baixa tensão MOSFET, tgbt e outras linhas de produtos, traçará ativamente o semicondutor de terceira geração, melhorará a capacidade abrangente de fornecimento de semicondutor de energia, e seu desenvolvimento a longo prazo é esperado.
Dicas de risco: mudanças nos recursos OEM da empresa; A procura é inferior ao esperado; Concorrência industrial intensifica-se e margem de lucro bruta diminui
